NCP51752是隔離單通道柵極驅動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5
A/-9A。 它們設計用于快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。
NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關閉，NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應該與NCP51752數據表以及onsemi的應用說明和技術支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
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onsemi NCP51752 隔離式 SiC MOSFET 閘極驅動器 評估板
瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅動器 IC 產品線集成后對 GaN 技術的持續投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關品質因數提高了 50%，而輸出品質因數提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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650V GaN 器件 高功率應用 SiC
6月25日，香港特區政府創新科技局轄下創新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業加速計劃」申請已獲得評審委員會批準。獲批項目涉及在香港興建寬禁帶半導體碳化硅 （SiC） 晶圓制造設施。項目總預算超過 7 億港元，將獲得 2 億港元的「新產業加速計劃」資助。這筆資金預計將大大提升香港的先進半導體制造能力，并加速其在寬禁帶半導體領域的發展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊成立，并于 2024 年 6 月正式開始運營，同時
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香港 8英寸 SiC 晶圓廠
在減少排放和實現凈零目標的前進道路上，碳化硅技術將在可持續發展應用中發揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統中添加電力電子器件（例如電機驅動器）或增強現有系統中的電力電子器件以達到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應用集成電氣系統，對電路保護的需求至關重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設計人員正在實施更強大的電路保護方法。僅限于保護線路的電路中斷裝置對于敏感的電子負載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護線路并限制傳輸到故障負載的短路允通電流和能量，從而可以防止負載自身損壞。傳統電路
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SiC 熔絲保護
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯使用，以創建共源共柵（cascode）結構。在這種設置中，SiC JFET負責處理
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安森美 SiC Combo JFET
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯使用，以創建共源共柵（cascode）結構。在這種設置中，SiC JFET負責處理高
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SiC Combo JFET 安森美
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。“bZ5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯合開發的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業——上海海姆希科
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羅姆 SiC MOSFET 豐田 純電車型
在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯一顆MOSFET即可實現功率躍升，為工業電源、新能源系統提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯還可以降低開關能耗，改善導熱性能。考慮到熱效應對導通損耗的影響，并聯功率開關管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯， 因為參數差異會影響均流特性。本文
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意法半導體 SiC MOSFET
就在去年，「搶占 SiC，誰是電動汽車市場的贏家？」「第三代半導體，來勢洶洶」「碳化硅:滲透新能源車半壁江山 第三代半導體百億級市場拉開帷幕」……這樣的形容是 SiC 的專屬標簽，市場利好，一片光明。好景沒有一直延續下去。「消息稱 2025 年中國 SiC 芯片價格將下降高達 30%」「SiC 價格跳水, 開啟下半場戰役」……新能源車爆火，那 SiC 怎么了？核心矛盾：需求增長 VS 產能狂飆根據預測 2025 年全球 SiC 襯底產能預計達 400 萬片，需求預測僅 250 萬片。從需求側來看
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SiC
在功率半導體領域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場強度和優異的熱導率，被廣泛應用于新能源汽車、智能電網和軌道交通等高壓高頻場景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時優化導通電阻（Ron），一直是行業亟待解決的難題。近日，復旦大學研究團隊在這一領域取得重要突破。據復旦大學研究團隊透露，他們基于電荷平衡理論，通過對離子注入工藝的深度優化，成功設計并制備出正交結構和平行結構兩種布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。實驗數據顯示，這兩種新型器件在維持約2.0kV擊
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復旦大學 SiC MOSFET器件
安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，本文將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態，那么JFET將完全導通。然而，開關模式在應用中通常需要常關狀態。因此，將SiC JFET與低電壓硅M
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SiC 共源共柵 cascode 安森美
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導體的損耗對系統整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復現性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
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ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。本文為第一部分，將介紹SiC Combo JFET 技術概覽、產品介紹等。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開
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安森美 SiC Combo JFET
根據 MoneyDJ 援引日經新聞的一份報告，電動汽車 （EV） 市場增長放緩，加上中國制造商增產導致供應過剩，導致價格下跌，據報道，這促使日本半導體巨頭瑞薩電子放棄了生產電動汽車碳化硅功率半導體的計劃。日經新聞指出，瑞薩電子最初計劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠開始生產用于電動汽車的 SiC 功率芯片。然而，該公司此后解散了高崎工廠的 SiC 團隊。日經新聞補充說，預計與中國競爭對手的價格競爭將在中長期內加劇，這使得瑞薩電子作為后來者很難從 SiC 芯片生產中快速獲利。根
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價格戰 Wolfspeed 瑞薩電子 SiC
據日本媒體《日刊工業新聞》報道，據報道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產保護。報告指出，這一發展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應協議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評估其戰略計劃。正如日刊工業新聞所說，瑞薩電子可能會受到影響，因為其與 Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預付款 10 年碳化硅晶圓供應協議。報告指出，如果 Wolfspeed 根據美國破產法第 11 章申請破產保護，瑞薩電子可能
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